您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43DR81280C-25DBLI-TR

IS43DR81280C-25DBLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:05:42 查看 阅读:21

IS43DR81280C-25DBLI-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司推出的低功耗、高性能的DRAM芯片。该芯片属于异步静态随机存取存储器(Async SRAM)类别,采用CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该型号封装为TSOP,便于在各种电子设备中集成。IS43DR81280C-25DBLI-TR的存储容量为128K x 8位,存取速度为25ns,具备较高的可靠性和稳定性,广泛用于通信设备、工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。

参数

容量:128K x 8位
  组织方式:1Mbit
  速度:25ns
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  访问时间:25ns
  最大工作频率:约10MHz(根据访问时间计算)
  功耗:典型值约100mA(待机模式下更低)

特性

IS43DR81280C-25DBLI-TR 是一款具有低功耗特性的异步SRAM芯片,采用先进的CMOS技术制造,确保在高速运行的同时保持较低的功耗水平。其25ns的访问时间使得该芯片能够满足大多数嵌入式系统对实时性和响应速度的要求。芯片支持异步操作,无需外部时钟信号,简化了系统设计,提高了稳定性。
  该芯片的工作电压为3.3V,兼容多种现代控制器的I/O电平,适用于多种电路设计。封装形式为TSOP,体积小巧,适合高密度PCB布局。IS43DR81280C-25DBLI-TR 还具备宽温工作范围(-40°C 至 +85°C),符合工业级标准,适用于严苛环境下的应用,如工业控制、自动化设备、车载电子等。
  在可靠性方面,该芯片通过了严格的测试和验证,具备出色的抗干扰能力和长期稳定性,适用于对数据存储和传输有高要求的场景。其并行接口设计使得数据吞吐量较大,适合需要高速数据交换的系统。

应用

IS43DR81280C-25DBLI-TR 主要应用于需要高速数据存取和低功耗的电子系统中。典型应用包括网络设备、路由器、交换机、工业控制面板、医疗仪器、测试设备、消费类电子产品(如数码相机、多媒体播放器)以及车载电子设备。由于其工业级温度范围和高可靠性,该芯片也适用于自动化生产线、远程监控系统和嵌入式控制系统等场景。

替代型号

IS43LV168128-25DBLI-TR, CY62168EV30LL-25ZSXI, IDT71V128SA25PFGI, IS42S16800A-25DBLI-TR

IS43DR81280C-25DBLI-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43DR81280C-25DBLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥42.57173卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TWBGA(8x10.5)