类型：SiC MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　漏源电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：约120mΩ
　　封装类型：模块封装
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C

AIMCQ120R060M1T 的核心优势在于其基于碳化硅材料的MOSFET器件所带来的卓越性能。首先，其1200V的耐压能力和60A的额定电流使其适用于中高功率等级的电力转换系统。其次，低至120mΩ的导通电阻显著降低了导通损耗，提升了整体系统的效率。此外，SiC材料的宽禁带特性使其具备更高的开关频率能力，从而允许使用更小的无源元件，减少系统体积和重量。
　　该模块的工作温度范围从-55°C到175°C，显示出极强的热稳定性和环境适应性，适用于苛刻的工作环境。模块封装形式不仅提供了良好的电气隔离，也优化了热管理和机械强度，确保长期运行的可靠性。同时，该模块具备较低的寄生电感和优异的电磁兼容性（EMC）表现，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提升系统的稳定性和安全性。

AIMCQ120R060M1T 广泛应用于需要高效、高频率工作的电力电子系统，如电动汽车（EV）充电器、车载充电机（OBC）、光伏逆变器、储能系统、工业电源以及高密度DC-DC转换器等。在电动汽车领域，该模块可支持车载充电机和电机控制器实现更高的能量转换效率和更小的系统尺寸；在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和储能逆变器，该模块能够提升转换效率并降低系统损耗，从而提升能源利用率。此外，它也可用于高端电源管理设备和不间断电源（UPS）系统，满足高可靠性与高效率的双重需求。

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　　 "IMZ120R060M1H",
　　 "IMW120R060M1S",
　　 "IXFN66N120"
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