时间：2025/8/2 13:00:17
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CS12N65F 是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压、高电流应用设计，具备良好的导通性能和快速的开关特性。CS12N65F通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效率功率控制的场合。其采用TO-220或TO-252封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.35Ω
功率耗散(Pd)：最大125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220/TO-252
CS12N65F具有优异的导通和开关性能，能够在高压环境下稳定工作。其最大漏源电压可达650V，适用于中高功率的开关电源设计。该MOSFET的最大连续漏极电流为12A，确保在较大负载下仍能保持稳定输出。
此外，CS12N65F的导通电阻较低，典型值为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其功率耗散能力达到125W，具备良好的热稳定性，适合长时间运行的高功率应用。
在可靠性方面，CS12N65F的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，防止因过压而损坏。其工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，能够在恶劣环境中稳定运行，适用于工业控制、电源适配器、LED照明驱动等场景。
封装方面，CS12N65F采用TO-220或TO-252封装形式，具有良好的散热性能，便于安装在PCB板上，适合各种电源管理应用。
CS12N65F广泛应用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器、电池充电器、电机驱动器以及LED照明驱动电路等。其高压高电流特性也使其适用于家电控制电路、工业自动化设备及智能电表等场合。
FQP12N65C, IRF740, STP12N65M5, TK12A65D
