类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻Rds(on)：典型值0.75Ω（最大值0.95Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1300pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值180pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-247

WFF10N65的核心优势在于其采用了超级结（Super Junction）结构设计，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域来打破传统MOSFET中导通电阻与击穿电压之间的线性关系，从而实现了在650V高耐压下仍具备极低的导通电阻。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其在高负载工况下表现出优异的能效表现。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg），这直接减少了驱动电路所需的能量，使得控制器可以使用更小的驱动电流，进而降低驱动IC的成本和功耗。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也改善了开关速度，缩短了开通和关断时间，有效抑制了开关过程中的电压电流交叠区，从而大幅降低了开关损耗。这对于高频工作的开关电源尤为重要，例如在LLC谐振变换器或有源钳位反激式拓扑中，能够显著提升系统整体效率。
　　WFF10N65还具备良好的抗雪崩能力和稳健的体二极管性能。其内部寄生二极管具有较快的反向恢复特性，反向恢复电荷（Qrr）较小，减少了在续流过程中产生的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性和EMI兼容性。此外，器件经过优化的热阻设计使其能够在高温环境下长期稳定运行，结合适当的散热措施可满足连续高功率输出的需求。
　　制造工艺方面，WFF10N65采用成熟且可靠的平面工艺，确保了批次一致性和高良率，同时具备较强的抗短路和过载能力。其栅氧层经过特殊处理，增强了对静电放电（ESD）和过压应力的耐受能力，延长了使用寿命。综合来看，WFF10N65是一款兼顾高性能、高可靠性和成本效益的高压MOSFET解决方案，特别适用于追求高能效和小型化的现代电源设计。

WFF10N65广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要650V耐压等级的离线式电源设计。典型应用场景包括：中小功率AC-DC开关电源，如手机、笔记本电脑、智能家居设备的充电器和适配器；LED恒流驱动电源，特别是在户外照明、商业照明等长寿命、高可靠性要求的场合；电视、显示器等消费类电子产品的主电源和待机电源模块；工业控制电源、PLC供电单元以及小型UPS不间断电源系统。
　　在拓扑结构上，该器件适用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）、半桥（Half-Bridge）、全桥（Full-Bridge）以及LLC谐振变换器等多种电路架构。在反激拓扑中，WFF10N65常作为主开关管使用，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升轻载和满载效率；在LLC谐振变换器中，其低Coss和Qrr特性有利于实现零电压开关（ZVS），进一步降低开关损耗并提升转换效率至90%以上。
　　此外，该器件也可用于电机驱动、光伏逆变器辅助电源、电池管理系统（BMS）中的隔离电源模块等领域。由于其具备较高的电压裕量（650V足以应对220V AC输入整流后的峰值电压），在电网波动较大的地区仍能保证安全运行。配合过压保护、过流保护和温度监控电路，WFF10N65可在复杂电磁环境中稳定工作，满足IEC、UL等国际安规标准的要求，是工业级和消费级电源设计中的理想选择之一。

STF10N65M5, FQP10N65, KF10N65D