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H5TC8G63AMR 发布时间 时间:2025/9/2 6:51:10 查看 阅读:6

H5TC8G63AMR是一款由SK Hynix生产的DRAM芯片,属于高密度存储器件,适用于需要高性能内存的电子设备。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具有较大的存储容量和较快的访问速度,适用于各种嵌入式系统和消费类电子产品。

参数

类型:DRAM
  容量:8Gbit
  组织架构:x64
  电压:1.8V至3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行
  数据速率:166MHz

特性

H5TC8G63AMR是一款高性能DRAM芯片,具有较大的存储容量和高速的数据访问能力。该芯片采用TSOP封装技术,适用于空间受限的应用场景。其工作电压范围较宽,可在1.8V至3.3V之间工作,提高了系统的兼容性和灵活性。此外,H5TC8G63AMR的工作温度范围为-40°C至+85°C,使其能够在各种环境条件下稳定运行。这款DRAM芯片的设计使其非常适合用于需要高性能和可靠性的嵌入式系统和消费类电子产品。

应用

H5TC8G63AMR常用于需要高性能内存的设备,如工业控制设备、网络设备、通信设备以及消费类电子产品(如智能手机和平板电脑)。该芯片的高性能和可靠性也使其适用于汽车电子系统和嵌入式控制系统。

替代型号

H5TC8G63AMR-PB H5TC8G63AMR-PC H5TC8G63AMR-PE

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