时间：2025/7/8 21:10:47
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BUK6218-40C 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
BUK6218-40C 的最大漏源电压为 40V，持续漏极电流可达 34A（在 Tc=25°C 条件下）。其优化的电气性能使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
持续漏极电流：34A
导通电阻（典型值）：3.7mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
开关速度：快速
封装形式：TO-220AC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，能够适应高频应用环境。
3. 栅极电荷较低，可以减少驱动损耗。
4. 高雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 宽工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 通信电源模块
7. LED 照明驱动电路
8. 汽车电子中的各类功率管理单元
IRFZ44N, PTH0606PF, BUK7Y2R8-40E
