时间：2025/6/16 15:18:35
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SE12D3V01GZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效率和低功耗的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统性能。
SE12D3V01GZ 的封装形式为 DPAK（TO-252），适合表面贴装技术 (SMT)，在设计中提供了良好的散热性能和可靠性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
脉冲漏极电流：80A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：76nC
输入电容：1960pF
总功耗：115W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SE12D3V01GZ 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著减少导通时的功率损耗。
2. 快速的开关速度，适用于高频应用场合。
3. 高电流承载能力，支持大功率负载。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 表面贴装封装 (DPAK)，便于自动化生产和组装。
这些特性使 SE12D3V01GZ 成为工业、汽车和消费电子领域中的理想选择。
SE12D3V01GZ 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 汽车电子中的负载切换和保护。
6. 各类消费电子产品中的高效功率转换模块。
凭借其高性能和可靠性，SE12D3V01GZ 可满足多种功率电子应用的需求。
SE12D3V01G, IRFZ44N, FDP15N40L
