KTC4072V-RTL 时间：2025/9/12 11:02:11 阅读：17

KTC4072V-RTL是一款由Korea Electronics Technology Co., Ltd.（KET）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高频率开关应用，具备较低的导通电阻和较高的热稳定性。其封装形式为SOT-223，适合用于紧凑型电路设计。KTC4072V-RTL广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及各种功率控制电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（典型值为6.5mΩ）
　　功耗（PD）：3W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

KTC4072V-RTL的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和较高的效率。该器件在高温环境下也能保持稳定的工作性能，具备良好的热管理能力。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，适用于多种驱动电路设计。其快速开关特性也使其在高频DC-DC转换器和同步整流器中表现出色。
　　在可靠性方面，KTC4072V-RTL具有较高的短路耐受能力，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对稳定性要求较高的汽车电子系统。同时，SOT-223封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　总体而言，KTC4072V-RTL是一款性能优异、适用于多种功率应用的MOSFET，具备高效率、低损耗和高可靠性的特点。

应用

KTC4072V-RTL主要应用于各种功率电子系统，如DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED驱动电路以及电源管理模块。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、启动电源控制电路、车灯驱动模块等场景。此外，在工业控制设备中，如PLC电源模块、工业电机控制和自动化开关系统中，KTC4072V-RTL也表现出良好的适用性。
　　由于其优异的热稳定性和紧凑封装，KTC4072V-RTL也常用于便携式电子产品，如笔记本电脑电源管理、移动电源（Power Bank）及智能穿戴设备中的功率调节电路。