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NTK3134NT5H 发布时间 时间:2025/6/6 10:47:42 查看 阅读:4

NTK3134NT5H 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型功率场效应晶体管。它广泛应用于需要高效率和低功耗的电路中,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
  该器件采用了先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和快速的开关特性,同时能够承受较高的电流和电压,非常适合在各种工业及消费类电子产品中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关时间:典型值 t_on=17ns, t_off=18ns
  结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,使得该器件能够在高频条件下工作,适用于高频开关电源和其他高速应用。
  3. 较高的电流处理能力,支持大功率应用。
  4. 提供出色的热稳定性,可确保在高温环境下长时间运行。
  5. 小型封装设计,节省PCB空间,方便布局和散热管理。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的严格要求。

应用

1. 开关电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 电池保护电路
  5. 工业自动化设备中的负载开关
  6. 通信电源模块
  7. 消费类电子产品的功率管理单元

替代型号

IRF3205
  Si7445DP
  FDP17N60
  AOT291L

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NTK3134NT5H参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)890mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-723
  • 封装/外壳SOT-723