类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大90mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：48W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN5x6

LTL1KH6GD具有多个显著的电气和热性能优势，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，并降低工作温度，从而延长器件寿命。其次，该MOSFET支持较高的栅源电压（±20V），提供了更强的栅极驱动兼容性和稳定性，适用于多种控制电路设计。
　　此外，LTL1KH6GD采用DFN5x6封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，能够在有限的空间内实现高效的功率处理能力。这种封装形式还具备较低的热阻（RθJA），有助于快速散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　在电气特性方面，该器件具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出更优异的性能，适用于同步整流、DC-DC转换器以及电机控制等场景。同时，其最大漏极电流可达7.5A，满足中高功率系统的需求。

LTL1KH6GD广泛应用于多个领域的电子设备中，特别是在需要高效功率转换和管理的场景。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流拓扑，提升转换效率并减少发热；在负载开关电路中，其低Rds(on)特性可降低压降，提高系统稳定性；在电源管理系统中，LTL1KH6GD适用于电池供电设备的电源控制，优化能源利用效率。
　　此外，该器件还可用于电机驱动、LED照明调光控制、工业自动化设备以及便携式电子产品的电源管理模块。由于其优异的热性能和小型封装设计，LTL1KH6GD特别适合空间受限但对性能要求较高的应用场合。

SiSS14DN-T1-GE3, BSC090N10LS5, FDS6680, NVTFS5C471NLWTAG