时间：2025/5/8 8:37:39
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HMC636ST89E 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）生产的高集成度 GaAs MMIC 升压放大器芯片，采用业界领先的工艺技术制造。该芯片专为高频应用而设计，具有卓越的线性度、增益和效率表现，非常适合于点对点无线电、VSAT 和测试设备等系统中的射频信号处理。
这款升压放大器覆盖了 2 至 18 GHz 的宽广频率范围，支持多种无线通信标准和协议。其紧凑型设计与表面贴装封装使其易于集成到各种射频模块中。
频率范围：2 GHz 至 18 GHz
增益：15 dB 典型值
输入回波损耗：大于 10 dB
输出回波损耗：大于 10 dB
噪声系数：小于 4.5 dB
P1dB 输出功率：大于 +22 dBm
电源电压：+5 V
静态电流：约 170 mA
HMC636ST89E 提供出色的射频性能，在整个宽频率范围内保持稳定的增益和平坦度。它采用了先进的GaAs pHEMT 技术，能够在低功耗下实现高输出功率和良好的线性度。
此外，该芯片内置匹配网络，简化了外部电路设计并减少了元件数量。其 SOT-89 表面贴装封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能。
HMC636ST89E 不需要额外的外部调节组件即可直接使用，并且具有极高的可靠性，能够适应恶劣的工作环境。这些特点使得 HMC636ST89E 成为现代高性能射频系统的理想选择。
HMC636ST89E 广泛应用于多种射频通信领域，包括但不限于：
- 点对点微波无线电
- VSAT 终端设备
- 测试与测量仪器
- 军用及航空航天通信系统
- 宽带基础设施
- 射频信号放大和预放
- 高速数据传输链路
由于其宽频率范围和优异的性能，该芯片在需要高稳定性和可靠性的场景中表现出色。
HMC635LP5E, HMC637ST89E
