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ITXH15N70A 发布时间 时间:2025/8/5 18:21:47 查看 阅读:31

ITXH15N70A是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造。这款MOSFET专为高电压和高电流应用设计,适用于电源管理、DC-AC转换器、电机控制以及其他需要高效能开关性能的电子系统。ITXH15N70A采用了先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性,能够在高温环境下保持良好的性能。此外,该器件采用TO-220封装,便于安装和散热,适合工业级应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极击穿电压:700V
  连续漏极电流:15A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.36Ω @ Vgs=10V
  功率耗散:100W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

ITXH15N70A的主要特性之一是其出色的导通性能和开关效率。该器件的低导通电阻(Rds(on))为0.36Ω,在10V栅极驱动电压下可以显著降低导通损耗,从而提高系统的整体能效。这种低Rds(on)特性对于电源转换器、DC-AC逆变器以及电机控制应用非常重要,有助于减少热量产生并提升系统稳定性。
  其次,ITXH15N70A具备高耐压能力,其漏极-源极击穿电压高达700V,使其能够承受较高的电压应力,适用于高压直流电源和交流输入电路。这种高耐压设计不仅增强了器件的可靠性,还能减少外部保护电路的需求,从而降低整体设计复杂度。
  此外,该MOSFET采用了先进的沟槽技术,提供更好的热管理和散热性能。在高负载条件下,器件能够保持较低的工作温度,避免因过热而导致的性能下降或损坏。这种热稳定性使其适用于高温环境和高可靠性要求的应用,如工业自动化和电力电子设备。
  ITXH15N70A的封装采用TO-220标准封装形式,具有良好的机械强度和电气隔离性能,便于安装到散热片上,进一步提升散热效率。TO-220封装还支持快速焊接和自动化生产,适合大批量制造和工业应用。

应用

ITXH15N70A广泛应用于多种电力电子系统中,特别是在需要高电压和高电流处理能力的场合。其主要应用领域包括电源供应器、DC-AC逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及LED照明系统。
  在电源供应器中,ITXH15N70A常用于PFC(功率因数校正)电路和DC-DC转换器,提供高效的能量转换和稳定的输出电压。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高频开关电源的理想选择。
  在DC-AC逆变器中,该MOSFET用于将直流电源转换为交流输出,适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电动车充电系统。ITXH15N70A的高开关速度和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率和可靠性。
  此外,该器件在电机驱动器中也发挥重要作用,用于控制电机的速度和方向。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于工业电机控制、电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  在LED照明系统中,ITXH15N70A可用于LED驱动器的开关控制,提供高效的电源管理解决方案。其低导通电阻和高效率特性有助于延长LED灯具的使用寿命,并减少能耗。

替代型号

IPD15N70C3, STXH15N70, FQA15N70

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