时间：2025/8/6 0:02:36
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IXTT75N10是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件适用于高频率开关应用，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。IXTT75N10广泛用于电源转换器、马达控制器、电池充电器和逆变器等应用中。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：75A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.015Ω
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
IXTT75N10具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，其低导通电阻确保在高电流条件下损耗最小，从而提高系统效率。其次，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性。此外，其快速开关特性使其适用于高频率操作，减少开关损耗。该器件采用TO-247封装，提供良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
IXTT75N10适用于多种高功率电子系统，包括DC-DC转换器、AC-DC电源、不间断电源(UPS)、马达驱动器、电池管理系统和太阳能逆变器等。其高电流能力和低导通损耗使其成为高效能电源设计的理想选择。
IRF1405, STP75NF75, FDP75N10
