IS62WV25616BLL-55BLI-TR是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造。该芯片容量为256K x 16位,总存储容量为4Mbit,适用于需要高速数据存取和高可靠性的应用场合。该SRAM采用异步访问方式,具备快速访问时间,适合用于嵌入式系统、网络设备、工业控制、通信设备等对性能和稳定性有较高要求的领域。IS62WV25616BLL-55BLI-TR采用TSOP封装,符合工业级温度范围标准(-40°C至+85°C),具有良好的环境适应性。
容量:256K x 16位
电压范围:2.3V至3.6V
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
温度范围:-40°C至+85°C
工作模式:异步
数据总线宽度:16位
封装引脚数:54
功耗:典型工作电流约120mA
封装尺寸:约8mm x 14mm
封装材质:塑料TSOP
IS62WV25616BLL-55BLI-TR的高性能特性使其在众多SRAM产品中脱颖而出。首先,其访问时间仅为55纳秒,这使其能够满足高速数据处理的需求,适用于需要快速响应的实时系统。其次,该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),使其在不同电源条件下都能稳定运行,增强了系统的兼容性和适应性。此外,该SRAM具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,适用于对功耗敏感的便携式设备和工业控制系统。
IS62WV25616BLL-55BLI-TR的16位数据总线设计使其适用于需要大容量数据缓冲的场合,例如图像处理、高速缓存和嵌入式控制应用。该芯片的异步接口简化了与微控制器、数字信号处理器(DSP)及其他逻辑器件的连接,降低了系统设计的复杂度。此外,该SRAM采用CMOS工艺制造,具有高噪声抑制能力和良好的抗干扰性能,确保数据在复杂电磁环境下的稳定性。
该器件的TSOP封装不仅体积小巧,便于PCB布局,而且具有良好的散热性能,确保在高温环境下也能稳定工作。同时,该芯片通过了工业级温度认证,能够在极端温度条件下可靠运行,适合用于工业自动化、通信基础设施和车载电子等应用。
IS62WV25616BLL-55BLI-TR广泛应用于对数据存取速度和稳定性有较高要求的各种电子系统中。例如,在嵌入式系统中,该SRAM可用作高速缓存或临时数据存储器,以提升系统性能。在网络设备中,该芯片可用于缓冲数据包,提高数据传输效率。在工业控制系统中,它可以作为主存储器或辅助存储器,用于存储程序代码或临时数据。此外,该SRAM还可用于图像处理设备、医疗电子设备、测试测量仪器、通信模块和汽车电子系统等场合。
由于其低功耗和宽电压特性,该芯片也适用于电池供电设备,如便携式数据采集器、无线传感器节点和智能电表。在通信领域,该SRAM可用于基站设备、路由器和交换机等设备中,用于高速数据缓存和处理。在消费类电子产品中,它也可用于数字电视、机顶盒和音频视频处理器中,提供快速可靠的数据存储支持。
IS62WV25616BLL-55GTR、IS62WV25616BLL-55TL、CY62167EVLL-55B4I-SX、IDT71V433S166BQG、AS6C25616-55BLLB