XHPM6B10A60D是一款高性能的功率MOSFET模块,广泛应用于工业电源、电机驱动、变频器及UPS等高功率系统中。该模块采用了先进的沟槽栅极和场截止技术,以提供优异的导通和开关性能,同时具备较高的可靠性和热稳定性。其封装设计支持高效的散热管理,能够满足严苛的工业环境要求。
类型:功率MOSFET模块
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):10A(连续)
导通电阻(Rds(on)):典型值0.6Ω
封装形式:模块化封装
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
最大耗散功率(Pd):100W
栅极驱动电压(Vgs):±20V
短路耐受能力:具备
XHPM6B10A60D功率MOSFET模块具备多个显著的性能特性。首先,它采用了先进的沟槽栅极技术,使得导通电阻更低,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。其次,模块内部集成了场截止结构,有效提升了开关速度并降低了开关损耗,这对于高频开关应用尤为重要。
此外,该模块具备良好的热管理性能,模块封装设计支持高效散热,能够在高温环境下稳定工作。其坚固的结构设计和优异的材料选择,使其具备较强的抗热疲劳能力和长期可靠性,适用于高要求的工业应用场景。
在电气特性方面,XHPM6B10A60D具有较高的短路耐受能力,可在异常工作条件下提供一定的保护作用。同时,其栅极驱动电压范围较宽,便于与多种驱动电路兼容,增强了系统的灵活性。
XHPM6B10A60D主要应用于需要高效率、高可靠性和良好热管理能力的电力电子系统。常见的应用包括工业电源、逆变器、变频器、不间断电源(UPS)、电机驱动控制器以及新能源系统中的功率转换模块。在这些系统中,XHPM6B10A60D能够有效提升整体效率并降低能耗。
IXFN10N60P、STP10NM60ND、FQA10N60C、IRFPG50