IKW50N65EH5是Infineon(英飞凌)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于CoolMOS系列。该器件采用先进的超结技术,具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高频功率转换电路中。
IKW50N65EH5是一款N沟道增强型MOSFET,其额定电压为650V,额定电流为50A。由于其出色的电气性能和可靠性,它在工业和消费类电子领域都得到了广泛应用。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:50A
栅极-源极电压(最大):±20V
导通电阻(典型值):98mΩ
总功耗:175W
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
IKW50N65EH5采用了英飞凌的先进超结技术,使其具备以下主要特性:
1. 低导通电阻:IKW50N65EH5在典型条件下具有98mΩ的低导通电阻,有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高效开关性能:该器件支持高频开关操作,适合于各种高频应用场合。
3. 热稳定性强:IKW50N65EH5能够在高达175℃的工作温度下可靠运行,适应恶劣环境需求。
4. 高可靠性:经过严格测试,确保在各种应用中的长期稳定性和耐用性。
5. 小尺寸封装:TO-247封装形式不仅易于安装,还能够提供良好的散热性能。
IKW50N65EH5适用于多种功率转换和控制场景,具体包括:
1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、服务器电源等。
2. 电机驱动:用于工业设备中的直流无刷电机驱动。
3. 太阳能逆变器:实现高效的能量转换。
4. 电动工具:为电动工具提供高效的动力支持。
5. 其他高频功率转换应用:如LED驱动器、电池充电器等。
IKW50N65H5,
IPP50N06N4L,
IRFP460,
FDP5020