SVF7N65F 时间：2025/5/12 12:48:42 阅读：1

SVF7N65F 是一款 N 沣道通态硅功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-220 封装。该器件适用于高电压应用场合，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源转换、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能开关的领域。
　　该 MOSFET 的最大漏源极电压为 650V，能够承受较高的电压波动，并且在高频条件下表现出良好的性能。其设计注重提高效率和减少损耗，同时保持较低的热阻以优化散热性能。

参数

最大漏源极电压：650V
　　连续漏极电流：7A
　　栅极电荷：15nC
　　导通电阻：1.8Ω
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

SVF7N65F 具有以下显著特性：
　　1. 高电压耐受能力，适合工业级和消费级应用。
　　2. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升整体效率。
　　3. 快速开关能力，确保在高频操作下仍然保持较低的开关损耗。
　　4. 紧凑的 TO-220 封装，便于安装和集成到各种电路设计中。
　　5. 宽泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
　　6. 内置保护机制，增强器件的可靠性与耐用性。

应用

SVF7N65F 可用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的功率控制模块。
　　3. 太阳能逆变器及 UPS 系统中的功率转换。
　　4. LED 驱动器和其他高效率 DC-DC 转换器。
　　5. 电磁阀和继电器驱动电路。
　　6. 各类工业自动化设备中的功率管理部分。