类型：MOS FET继电器（双向）
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　接通时LED正向电流（IF(ON)）：5 mA
　　关断时LED正向电流（IF(OFF)）：0.5 mA
　　输出导通电阻（RON）：典型值80 mΩ，最大120 mΩ
　　输出耐压（VDS）：35 V
　　连续负载电流（IO）：1.7 A
　　峰值负载电流（IOP）：3.4 A
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（VIORM）：5000 Vrms
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值1 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值0.5 ms
　　封装形式：SSLP4 (超小型表面贴装)
　　引脚数：4

G3VM-353G1的核心特性在于其采用先进的MOSFET输出结构，实现了极低的导通电阻和高效的负载控制能力。其输出端由两个MOSFET背对背连接构成，能够在导通状态下提供双向电流路径，因此既可以控制直流负载，也能切换交流信号，适用性广泛。该器件的导通电阻极低，典型值仅为80毫欧，最大不超过120毫欧，这意味着在通过大电流时产生的功耗和温升较小，有助于提高系统能效并减少散热设计负担。低RON还确保了输出电压降小，能够更精确地传递电源或信号，尤其适用于精密仪器和高精度控制系统。
　　该光耦继电器的输入侧驱动电流较低，仅需5mA即可实现完全导通，兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于直接由微控制器、FPGA或其他数字电路驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。同时，其关断电流阈值设定为0.5mA，确保在弱信号或噪声干扰下仍能稳定关断，提高了抗干扰能力和系统稳定性。G3VM-353G1具备高达35V的输出耐压和1.7A的连续负载电流能力，峰值电流可达3.4A，足以驱动多种中等功率负载，如小型电机、电磁阀、加热元件或LED阵列等。
　　封装方面，G3VM-353G1采用超小型表面贴装封装（SSLP4），尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片生产，提升制造效率。其绝缘电压高达5000Vrms，提供了优异的电气隔离性能，保障操作人员和设备的安全。此外，该器件无机械触点，不存在磨损、接触弹跳或电弧等问题，寿命远超传统电磁继电器，特别适用于需要频繁开关操作的应用场景。响应时间快，导通时间约1ms，关断时间约0.5ms，满足大多数实时控制需求。工作温度范围宽，从-40°C到+110°C，可在恶劣工业环境中稳定运行。

G3VM-353G1广泛应用于需要高可靠性、小体积和长寿命开关功能的电子系统中。在自动测试设备（ATE）中，它常被用于信号路由和负载切换，因其低导通电阻和高重复性可确保测试精度。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口、执行器控制等，替代传统电磁继电器以提升系统稳定性。在医疗设备中，由于其无噪声、无火花特性，适用于病人监护仪、诊断设备等对安全要求极高的场合。通信设备中也常用此类光耦继电器进行电源管理或信号切换，避免干扰敏感电路。此外，在电池管理系统（BMS）、智能电表、安防系统和消费类高端电子产品中，G3VM-353G1也因其紧凑尺寸和高效性能而受到青睐。其固态结构特别适合需要静音运行或防爆环境的应用。

G3VM-61E1Y,G3VM-41E1,G3VM-21LR1