容量：64Mbit
　　组织结构：16位×4M
　　封装类型：TSOP
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：-40℃至+85℃
　　接口类型：异步
　　访问时间：7ns
　　封装尺寸：54-pin
　　刷新周期：64ms

W986416DB-7 是一款高性能、低功耗的异步DRAM芯片，具备出色的稳定性和广泛的兼容性。其64Mbit的存储容量和16位数据总线设计，使其适用于需要较高数据吞吐量的应用场景。芯片采用3.3V电源供电，相比早期的5V供电DRAM芯片，功耗更低，有助于提高系统能效。
　　该芯片支持异步操作模式，意味着其访问速度不受系统时钟限制，适用于多种非同步总线架构的嵌入式系统。异步DRAM在设计上较为灵活，适合用于需要缓存或主存扩展的场合，如图像处理、数据缓冲等。
　　此外，W986416DB-7 采用TSOP封装技术，具有较小的封装体积和良好的热稳定性，适合高密度PCB布局。其工业级工作温度范围（-40℃至+85℃）确保其在严苛环境下的稳定运行，适用于工业控制、通信设备和车载系统等应用场景。
　　Winbond在DRAM领域的多年经验，也使得W986416DB-7具备较高的可靠性和良好的技术支持，适合批量应用和长期供货需求。

W986416DB-7 主要应用于需要中等容量DRAM存储的嵌入式系统，如工业控制设备、智能卡终端、网络路由器、打印机、视频监控设备、手持式电子产品等。由于其异步接口的灵活性，该芯片常用于非同步总线架构的微控制器系统中，作为外部缓存或主存使用，尤其适合图像缓冲、数据存储和程序运行空间扩展等用途。
　　在工业控制领域，该芯片可用于PLC控制器、工业计算机、人机界面设备等，提供稳定的数据存储支持。在网络设备中，W986416DB-7 可用于缓存数据包，提升设备的数据处理能力。在消费类电子产品中，如智能家电、电子书阅读器、数码相框等，该芯片也广泛用于提升系统运行效率。
　　此外，由于其良好的温度适应性和封装紧凑性，W986416DB-7 也适用于车载电子系统，如车载导航、行车记录仪等，满足车载环境对可靠性和稳定性的要求。

ISSI: IS42S16400F-7T, Alliance: A3V16A40ETP-7C, Micron: MT48LC16M2A2B4-6A