时间：2025/11/12 20:33:21
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CL32A476MOJNNWE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数型X5R陶瓷材料类别，具有较高的体积效率和稳定的电容性能，适用于去耦、旁路、滤波以及信号耦合等应用场合。CL32A系列采用标准的EIA 1210封装尺寸（3.2mm x 2.5mm），额定电压为6.3V DC，标称电容值为47μF，电容容差为±20%。该产品采用无铅、无卤素的环保设计，符合RoHS指令要求，并具备良好的温度稳定性和高频响应特性。由于其大容量与小型化结合的特点，CL32A476MOJNNWE广泛应用于消费类电子产品、移动通信设备、电源管理模块及便携式电子系统中。此外，该型号在制造过程中采用先进的叠层工艺和严格的品质控制流程，确保在高温高湿环境下仍能保持可靠的电气性能和机械强度。
制造商：Samsung Electro-Mechanics
类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
封装/外壳：1210（3225公制）
电容：47μF
容差：±20%
额定电压：6.3V DC
介质材料：X5R
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
温度系数/特性：X5R（ΔC/C ≤ ±15% 在 -55°C 至 +85°C）
直流偏压特性：在6.3V偏压下，实际电容可下降至约标称值的60%-70%
安装类型：表面贴装（SMD）
端接：镍/锡（Ni-Sn）
产品系列：CL32A
等级：工业级
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
CL32A476MOJNNWE作为一款高性能的多层陶瓷电容器，采用了X5R类高介电常数陶瓷介质材料，能够在较宽的温度范围内维持相对稳定的电容值，其电容变化率在-55°C到+85°C之间不超过±15%，这使得它非常适合用于对温度稳定性有一定要求但又需要较大电容量的应用场景。
该器件最显著的特点之一是在1210小型封装内实现了高达47μF的电容值，体现了现代MLCC技术在材料科学和制造工艺上的进步。这种高容量密度得益于超薄介质层和多达数百层的内部电极结构，通过精密印刷和高温共烧工艺实现。尽管X5R材料相比C0G/NP0材料在频率和电压依赖性方面略逊一筹，但其在成本、体积和容量之间的平衡使其成为去耦和储能应用的理想选择。
在实际使用中，用户需特别注意其直流偏压效应——即随着施加电压接近额定电压，有效电容会显著下降。例如，在6.3V偏压下，CL32A476MOJNNWE的实际可用电容可能仅剩约30μF左右。因此，在电路设计时应参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额设计，以确保系统性能可靠。
此外，该电容器具备良好的抗湿性和耐焊接热性能，支持回流焊工艺，适合自动化SMT生产线。其端电极为镍阻挡层加锡外镀层，提供优良的可焊性和长期可靠性。整体结构具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），有助于提升电源系统的瞬态响应能力，降低噪声干扰。
CL32A476MOJNNWE主要应用于需要中高容量去耦或滤波功能的电子电路中，典型用途包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式消费类电子设备中的电源轨旁路。在这些系统中，它常被放置于DC-DC转换器输出端或处理器核心供电引脚附近，用于平滑电压波动并吸收高频噪声，从而提高系统的稳定性和抗干扰能力。
此外，该器件也广泛用于各类电源管理单元（PMU）、FPGA、ASIC及微控制器的电源去耦网络中，特别是在空间受限但对电容需求较高的设计中表现出色。由于其具备一定的温度稳定性和较低的ESR特性，还可用于中频耦合、信号滤波和储能电路，如音频处理模块、传感器接口电路以及工业控制板卡等场景。
在通信设备中，CL32A476MOJNNWE可用于基站模块、射频前端电源滤波以及光模块内部电源调理，帮助抑制开关电源带来的纹波干扰。同时，因其符合无铅和环保标准，适用于出口型电子产品和绿色电子产品认证项目。
值得注意的是，虽然该器件不适用于要求极高精度或极端温度环境的应用（如汽车引擎舱或军工级设备），但在一般工业级和商业级环境中表现稳定可靠，是现代高集成度电子设计中不可或缺的基础元件之一。
GRM32DR7U6D476ME15L
C3225X5R0J476M250AC
TC3225X5R0J476MMT
EMK325BJ476MM-P
