工作电压：26V
　　击穿电压（VBR）：28.9V ~ 32.0V
　　最大钳位电压（VC）：45.4V @ 7.4A
　　峰值脉冲电流（IPP）：7.4A
　　最大反向工作电压（VRWM）：26V
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 26V
　　功率耗散（PPPM）：600W
　　封装形式：SMB（DO-214AA）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

P6SMBJ26CATR 具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应并吸收高能量的瞬态电压，从而保护后续电路不受损坏。其内部结构采用硅雪崩二极管设计，能够在正负两个方向上提供对称的电压抑制能力，适用于交流或直流信号线路的保护。
　　该器件的封装形式为SMB（DO-214AA），具有较小的体积和良好的热稳定性，适合在空间受限的PCB布局中使用。P6SMBJ26CATR 的最大钳位电压为45.4V，在7.4A的峰值电流下仍能保持较低的钳位电压，确保受保护设备的安全运行。
　　此外，该TVS二极管的反向漏电流非常低，仅为10μA，不会对正常工作的电路造成额外的负载影响。其高达600W的峰值脉冲功率处理能力使其适用于多种恶劣电磁环境下的电路保护应用。P6SMBJ26CATR 还符合RoHS环保标准，广泛应用于现代绿色电子产品设计。

P6SMBJ26CATR 主要用于需要瞬态电压保护的电子设备中，适用于通信接口（如RS-232、RS-485、CAN、USB、以太网等）、工业控制系统的输入/输出端口、消费类电子产品的电源与信号线路、以及汽车电子模块中的电压保护。此外，该器件也常用于电源适配器、智能电表、安防设备和便携式设备中，以提升系统的可靠性和抗干扰能力。由于其双向特性，P6SMBJ26CATR 特别适用于交流信号线路或差分信号传输路径的保护。在高速数据通信领域，它也常被用于防止静电放电（ESD）对敏感IC造成损坏。

P6KE26CA、SMBJ26CA、P6SMBJ26CA、P6SMBJ26C