时间：2025/6/3 22:34:21
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ADTVSHC3N4V8U是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制程技术制造。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性。它能够有效降低功耗并提升系统效率，同时具备较高的可靠性和稳定性。
型号：ADTVSHC3N4V8U
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ(典型值，@Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：27W
工作温度范围：-55℃至+175℃
ADTVSHC3N4V8U采用了先进的沟槽式结构设计，这种设计极大地降低了导通电阻，从而减少了导通损耗。此外，该芯片还具有快速开关速度，可以有效降低开关损耗。
在动态性能方面，该器件具有较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)，这有助于提高系统的整体效率和响应速度。
ADTVSHC3N4V8U的热性能也非常出色，其封装设计能够有效地将热量散发到PCB板上，从而保证了长期运行的可靠性。
另外，该器件还具有抗雪崩能力，能够在过载或短路情况下提供额外的保护。
ADTVSHC3N4V8U广泛应用于各种需要高效功率转换的场景中，例如：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
由于其优异的性能和可靠性，ADTVSHC3N4V8U成为许多高要求应用的理想选择。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP5500
