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W979H2KBVX1I 发布时间 时间:2025/8/20 8:06:11 查看 阅读:17

W979H2KBVX1I 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其特定的DRAM产品线。这款芯片通常用于需要中高密度存储的嵌入式系统、工业设备、消费类电子产品以及需要高性能内存的场合。该DRAM芯片以其稳定性和可靠性著称,适用于多种应用场景。

参数

容量:256MB
  组织结构:16M x 16
  封装:TSOP
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  访问时间:5.4ns
  封装尺寸:54-pin
  接口类型:异步SRAM接口
  刷新周期:64ms

特性

W979H2KBVX1I 的主要特性之一是其异步SRAM接口,这种接口允许其与各种主控芯片兼容,适用于需要快速读写操作的系统。该芯片支持标准的异步SRAM控制信号,包括地址线(A0-A15)、数据线(D0-D15)、读使能(OE)、写使能(WE)和片选(CE)。
  此外,W979H2KBVX1I 提供了宽电压范围(2.3V 至 3.6V),使其能够在不同电压环境中稳定工作。该特性对设计灵活性和电源管理非常有利,特别是在多电源系统中。
  该芯片的工作温度范围为-40°C 至 +85°C,表明其适用于工业级环境,可以在较为严苛的温度条件下运行,确保设备在极端环境中的稳定性。
  W979H2KBVX1I 采用了TSOP(薄型小外形封装)技术,使得芯片在保持高性能的同时,体积更小,适合空间受限的设计应用。这种封装形式也有助于提高散热效率和电路板的布局灵活性。

应用

W979H2KBVX1I 广泛应用于工业控制设备、网络设备、通信模块、消费电子产品(如智能电视、机顶盒)以及各种嵌入式系统。在这些应用中,该芯片提供了可靠的存储解决方案,支持快速的数据存取和处理需求。此外,由于其宽电压和宽温度范围的特性,它也常用于需要在恶劣环境下运行的设备,如工业自动化系统、车载电子设备和安防监控系统。

替代型号

W979H2KBVX1I 可以被其他类似的异步SRAM芯片替代,例如 ISSI 的 IS61LV25616-10BLL 和 Cypress 的 CY62148EVLL。在选择替代型号时,需要确保引脚兼容性、电气特性和性能参数符合设计要求。

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W979H2KBVX1I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格168 : ¥46.14399托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态不适用于新设计
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织16M x 32
  • 存储器接口HSUL_12
  • 时钟频率533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳134-VFBGA
  • 供应商器件封装134-VFBGA(10x11.5)