FDMS86500L 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的超低导通电阻的 N 沟道 MOSFET,采用逻辑电平驱动设计。该器件适用于高效能开关应用场合,例如负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等场景。
FDMS86500L 的主要特点是其极低的导通电阻和快速的开关速度,这使得它能够在高频操作中实现高效率。此外,该器件还具备较高的雪崩耐量和坚固的短路保护能力,非常适合要求高可靠性的工业及消费类电子设备。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:21A
导通电阻:1.3mΩ
栅极阈值电压:1.2V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220FP
FDMS86500L 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 1.3mΩ,从而减少功率损耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
3. 支持高达 21A 的连续漏极电流,适合大功率应用场景。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
5. 逻辑电平驱动兼容性,简化电路设计,降低驱动复杂度。
6. 快速开关性能,有助于提高开关频率和效率,同时减小电磁干扰 (EMI)。
FDMS86500L 广泛应用于以下领域:
1. 电机控制:用于无刷直流电机驱动器中的功率级开关。
2. 电池管理系统 (BMS):提供高效的电池充放电路径控制。
3. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器:作为主开关或同步整流器使用。
4. 工业自动化:如伺服驱动器和机器人控制系统中的功率转换模块。
5. 消费类电子产品:包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他便携式设备的电源解决方案。
6. 汽车电子:支持电动车窗、座椅调节等功能的执行器控制。
FDMS86502L, FDMS86501L