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FDMS86500L 发布时间 时间:2025/4/30 16:31:00 查看 阅读:4

FDMS86500L 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)推出的超低导通电阻的 N 沟道 MOSFET,采用逻辑电平驱动设计。该器件适用于高效能开关应用场合,例如负载切换、DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等场景。
  FDMS86500L 的主要特点是其极低的导通电阻和快速的开关速度,这使得它能够在高频操作中实现高效率。此外,该器件还具备较高的雪崩耐量和坚固的短路保护能力,非常适合要求高可靠性的工业及消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极阈值电压:1.2V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220FP

特性

FDMS86500L 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 1.3mΩ,从而减少功率损耗并提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
  3. 支持高达 21A 的连续漏极电流,适合大功率应用场景。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应各种恶劣环境。
  5. 逻辑电平驱动兼容性,简化电路设计,降低驱动复杂度。
  6. 快速开关性能,有助于提高开关频率和效率,同时减小电磁干扰 (EMI)。

应用

FDMS86500L 广泛应用于以下领域:
  1. 电机控制:用于无刷直流电机驱动器中的功率级开关。
  2. 电池管理系统 (BMS):提供高效的电池充放电路径控制。
  3. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器:作为主开关或同步整流器使用。
  4. 工业自动化:如伺服驱动器和机器人控制系统中的功率转换模块。
  5. 消费类电子产品:包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他便携式设备的电源解决方案。
  6. 汽车电子:支持电动车窗、座椅调节等功能的执行器控制。

替代型号

FDMS86502L, FDMS86501L

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FDMS86500L参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs165nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12530pF @ 30V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-PQFN(5X6),Power56
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDMS86500L-ND