时间：2025/9/15 4:26:41
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PSMN1R3-30YL 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块以及负载开关等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.7V（最小值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PSMN1R3-30YL MOSFET 具备多项卓越的电气和热性能。其导通电阻低至 1.3mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在保持小尺寸的同时具备出色的电流处理能力。此外，PSMN1R3-30YL 还具有良好的热稳定性，在高电流负载下依然能保持较低的工作温度，延长了器件的使用寿命并提升了系统的可靠性。
这款 MOSFET 支持高达 150A 的漏极电流，适用于高功率密度的设计。其栅极阈值电压为 2.7V（最小值），确保了与常见控制器 IC 的良好兼容性，同时降低了误触发的风险。PSMN1R3-30YL 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应了多种极端工作环境，例如汽车电子、工业自动化设备和通信基础设施等。
封装方面，该器件采用 LFPAK56（也称为 Power-SO8）封装，这种封装形式具有出色的散热性能和较小的 PCB 占用空间，特别适合用于需要高集成度和紧凑设计的电子产品中。LFPAK56 封装还具备良好的焊接可靠性和机械强度，能够承受较高的热循环和机械应力。
PSMN1R3-30YL 主要应用于需要高效能功率开关的场合。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可以作为主开关使用，提供高效率和低损耗的电源转换能力。在电源管理系统中，它被广泛用于电池管理、负载开关和电源分配控制等场景。此外，该器件还可用于电机驱动电路、电源逆变器、LED 照明驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其优异的电气特性和高可靠性，PSMN1R3-30YL 特别适用于汽车电子系统，例如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高功率密度和高稳定性的车载电源管理模块。此外，在通信基础设施中，该 MOSFET 也可用于基站电源、网络设备电源模块等应用，确保系统的稳定运行。
SiZ120DT, BSC010N03MSG, IPB013N04N3, PSMN029-100BSE
