2SJ616-TD-E 时间：2025/8/2 6:53:58 阅读：34

2SJ616-TD-E 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用了先进的工艺技术，具备较高的可靠性和稳定性，适用于各种电子设备中的功率控制。2SJ616-TD-E采用SOT-223封装形式，适合表面贴装，适用于小型化和高密度电路设计。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：-60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-3A
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　功率耗散：2W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

2SJ616-TD-E具备低导通电阻特性，有助于降低开关损耗并提高整体效率。该器件的栅极驱动电压较低，允许使用常见的驱动电路进行控制，从而简化设计和降低成本。其SOT-223封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下依然稳定运行。
　　此外，2SJ616-TD-E具备优良的热稳定性和过载保护能力，使其适用于各种高要求的工业和消费类电子应用。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关电路。内置的体二极管能够提供反向电流保护，增强电路的可靠性。
　　在制造工艺方面，2SJ616-TD-E采用了东芝先进的沟槽式MOSFET结构，进一步优化了电性能，确保在各种工作条件下均能保持优异表现。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。

应用

2SJ616-TD-E广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备、工业自动化设备、LED照明驱动电路以及各类嵌入式系统。其高可靠性和紧凑的封装形式使其成为许多现代电子产品的首选功率器件。在电源管理系统中，它可用于高效能开关电源的设计；在电机控制应用中，它能够实现对小型直流电机的精确控制。
　　此外，该MOSFET还可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统、智能电表和通信设备中的电源控制部分。由于其优异的热特性和稳定的性能，2SJ616-TD-E也常用于环境较为严苛的工业控制系统中。