类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：在Ic=2 mA时为110-800（分档）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　封装类型：SOT-23

LMUN2236LT1G具有多个显著特性，使其适用于多种高频和低噪声应用。
　　首先，该晶体管的高过渡频率（fT）达到250 MHz，这使其非常适合用于射频放大器和高频信号处理电路。其高频性能优于许多标准晶体管，可以满足通信设备、射频前端模块等对频率响应的严格要求。
　　其次，LMUN2236LT1G提供多级电流增益（hFE）分档，典型值在Ic=2 mA时可达到110至800之间，确保在不同应用条件下都能实现稳定和高效的放大性能。这一特性使得它在前置放大器和信号增强电路中表现优异。
　　此外，该晶体管的封装采用SOT-23小型化设计，具备优良的热传导性能和紧凑的尺寸，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局。同时，SOT-23封装支持表面贴装技术，有助于提高生产效率和可靠性。
　　LMUN2236LT1G还具有良好的噪声性能，适用于音频放大、射频接收机前端以及低噪声前置放大器等应用。其低噪声系数确保在信号处理过程中最小化噪声引入，从而提高整体系统信噪比。
　　最后，该晶体管的额定最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压为30 V，具备一定的功率承受能力，可在中等功率放大和开关应用中稳定工作。

LMUN2236LT1G广泛应用于多个电子领域，尤其适用于需要高频响应和低噪声性能的电路设计。
　　在射频通信系统中，LMUN2236LT1G常用于射频放大器、混频器和前置放大器，支持低噪声信号增强，提高接收器的灵敏度和性能。
　　在音频电路中，该晶体管可用于前置放大器、音频增益模块和低噪声麦克风放大电路，提供清晰的声音信号放大。
　　此外，LMUN2236LT1G也适用于通用开关电路、逻辑电平转换、缓冲器设计以及数字控制电路中的晶体管开关应用。
　　由于其小型化封装和表面贴装能力，该晶体管在便携式电子产品如智能手机、无线耳机、物联网设备中也有广泛应用。
　　工业控制和传感器信号处理电路中，LMUN2236LT1G可用于信号调理、电流镜像和低噪声放大器设计。

BC847, 2N3904, BFQ59, MMBF4117