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ESDM2032MX4T5G 发布时间 时间:2025/5/27 15:05:21 查看 阅读:13

ESDM2032MX4T5G是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用小尺寸封装,具有低电容和快速响应时间的特点,适合用于高速数据线路的保护。
  这款芯片广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域,确保敏感电路在面对各种电磁干扰时能够稳定运行。

参数

工作电压:±32V
  最大箝位电压:41.6V
  峰值脉冲电流:9.8A
  结电容:7pF
  响应时间:1ps
  封装类型:UTSLP-4-2G

特性

ESDM2032MX4T5G拥有低结电容设计,能够在高速信号线路上提供有效的保护而不影响信号完整性。
  它支持双向保护功能,适用于对称和非对称信号线路。
  该芯片具备非常快的响应时间,可以迅速抑制瞬态电压尖峰,防止其对下游电路造成损害。
  此外,其坚固的结构设计和高可靠性使其非常适合恶劣环境下的应用需求。
  小尺寸封装使其易于集成到空间受限的设计中。

应用

该芯片常用于USB接口、HDMI接口、以太网端口以及其他高速数据传输接口的保护。
  在手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中,它可以保护触摸屏控制器、摄像头模块和其他关键组件。
  此外,ESDM2032MX4T5G还适用于工业自动化设备、网络交换机和路由器中的电路保护。

替代型号

ESDM2032PW4T5G
  ESDM2032MQ4T5G

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ESDM2032MX4T5G参数

  • 现有数量7,554现货50,000Factory
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)10,000 : ¥0.34525卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道-
  • 双向通道1
  • 电压 - 反向断态(典型值)3.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值)3.7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)5.2V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)16A
  • 功率 - 峰值脉冲-
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容18pF @ 1MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装2-DFN(0.6x0.3)