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FMC10N60E 发布时间 时间:2025/8/9 13:08:48 查看 阅读:31

FMC10N60E是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用。这款MOSFET的漏极-源极电压(VDS)为600V,连续漏极电流(ID)为10A,适合用于高功率开关电路。FMC10N60E具有低导通电阻(RDS(on))特性,同时优化了开关损耗,适用于多种高频率和高效率要求的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):600V
  连续漏极电流(ID):10A
  RDS(on):典型值为0.65Ω(在VGS=10V时)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

FMC10N60E具有以下主要特性:
  1. **低导通电阻**:FMC10N60E的RDS(on)典型值为0.65Ω,能够在高电流条件下显著降低导通损耗,提高系统效率。
  2. **高耐压能力**:漏极-源极电压高达600V,使其适用于高压电源应用,如AC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路。
  3. **优异的热性能**:TO-220封装具备良好的散热性能,能够在高功率条件下保持稳定运行。
  4. **低开关损耗**:FMC10N60E优化了开关特性,使其适用于高频开关应用,减少能量损耗并提高效率。
  5. **宽温度范围**:支持-55°C至150°C的工作温度范围,适用于苛刻环境下的应用。
  6. **栅极保护**:内置栅极保护二极管,防止静电和过压损坏栅极结构,提高器件的可靠性。

应用

FMC10N60E主要应用于以下领域:
  1. **电源转换器**:如AC-DC和DC-DC转换器,特别是在高电压输入条件下提供高效率和稳定性。
  2. **马达控制**:用于工业自动化设备中的电机驱动电路,实现高效能和精确控制。
  3. **照明系统**:包括LED驱动器和高压气体放电灯(HID)镇流器,提供可靠的功率开关解决方案。
  4. **家电产品**:例如变频空调、电磁炉等家用电器,用作功率控制开关,提高能效并降低能耗。
  5. **新能源设备**:在太阳能逆变器和储能系统中,FMC10N60E可用于高频开关控制,提升整体系统的能量转换效率。
  6. **工业自动化**:在工业控制设备中,用于高频率开关和电源管理,满足严苛的工业环境要求。

替代型号

FQA10N60C, IRFBC40, STF10N60DM2, 10N60C3

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