时间：2025/8/24 23:45:37
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G44N60RUFD 是一款由Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具备高耐压、低导通电阻和高可靠性等特性。这款MOSFET采用TO-252封装形式，适用于多种电源管理及功率转换电路中。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：44A
导通电阻（RDS(on)）：0.14Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：95nC（典型值）
封装形式：TO-252
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功耗（Ptot）：300W
G44N60RUFD的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到600V，这使得它适用于高压开关电路。其导通电阻较低，最大值为0.14Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。该器件的连续漏极电流为44A，具备良好的电流处理能力，适合用于高功率场合。
G44N60RUFD采用TO-252封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产。该封装形式还提供了良好的电气隔离和热管理能力。
此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为95nC，有助于减少开关损耗并提高开关速度。这使得G44N60RUFD在高频开关应用中表现出色，如电源适配器、DC-DC转换器和电机驱动器等。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的温度稳定性，可在各种环境条件下稳定工作。其最大功耗为300W，表明其具有较高的功率处理能力，适合在严苛的工业和消费类应用中使用。
G44N60RUFD广泛应用于各种电源管理设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制器以及逆变器系统。此外，它也可用于电池管理系统、负载开关和功率因数校正（PFC）电路中。
建议参考型号：FQA44N60、STF44N60、IRG44N60
