CS3N90A4R是一款由ON Semiconductor生产的功率MOSFET,广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的高压技术制造,具有优异的导通和开关性能,适用于各种高效率电源系统。CS3N90A4R采用TO-220封装,具备良好的散热性能和可靠性,适合中高功率应用的需求。
类型:功率MOSFET
封装类型:TO-220
最大漏源电压(Vds):900V
最大漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω(最大)
栅极电荷(Qg):18nC(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
最大功耗(Pd):50W
漏极-源极击穿电压(BR):900V
开启电压(Vgs(th)):2V至4V
CS3N90A4R具有多个显著的性能特点,使其适用于各种功率电子设备。首先,其高漏源电压能力(900V)使其非常适合用于高电压应用,如AC-DC转换器和高压电源系统。其次,该器件的导通电阻较低,典型值为2.5Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,CS3N90A4R具有较低的栅极电荷(Qg),这意味着在高频开关应用中可以减少开关损耗,提高整体系统的能效。
该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够承受较高的功耗(最大50W),确保在高温环境下仍能稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境条件。CS3N90A4R的开启电压范围为2V至4V,确保在多种驱动条件下都能可靠导通,同时具备较强的抗干扰能力。
另外,该MOSFET具有较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统的安全性和可靠性。CS3N90A4R还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的电气性能。
CS3N90A4R广泛应用于各种功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外,该器件还可用于电池管理系统、不间断电源(UPS)以及家用电器中的功率控制模块。
FQP9N90C, STF9N90DM2, IRF840