W971GG6NB25I 是一款由Winbond公司生产的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DDR2 SDRAM类别,具有较高的数据传输速率和较低的功耗,适用于需要大容量内存和高效能数据处理的电子设备。W971GG6NB25I采用先进的半导体制造工艺,具备稳定可靠的工作性能,广泛应用于工业控制、网络设备、嵌入式系统和消费类电子产品中。
容量:128MB
组织架构:16M x 8 / 8M x 16
电压:2.3V - 3.6V
封装类型:TSOP
引脚数:54-pin
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据速率:166MHz
数据宽度:8位/16位
刷新周期:64ms
访问时间:5.4ns
封装尺寸:5.0mm x 7.5mm
W971GG6NB25I是一款高性能的DRAM芯片,具有多项显著特性。其主要特点是低功耗设计,非常适合用于电池供电或对功耗有严格要求的应用场景。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在系统休眠或低功耗模式下保持数据完整性,减少外部控制器的负担。此外,W971GG6NB25I采用了先进的CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂电磁环境中可靠工作。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性,并有助于降低高频应用中的寄生电感效应。芯片的高集成度和紧凑封装也使其适用于空间受限的设计。此外,该芯片具有较高的数据传输速率,支持高速数据访问,适用于需要快速响应和高效数据处理的系统。
W971GG6NB25I广泛应用于多种电子设备和系统中,包括但不限于:工业控制与自动化设备、嵌入式系统、网络路由器和交换机、消费类电子产品(如智能电视、机顶盒、多媒体播放器)、通信设备、测试与测量仪器等。其低功耗、高性能的特性使其特别适合用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备。
W971GG6JB25I, W971G2GB25I