NCEMASD9-08G 是一款高性能的 NAND 闪存芯片,主要用于大容量数据存储。它采用了先进的制程工艺,具备高可靠性和快速读写能力,广泛应用于消费电子、工业设备和嵌入式系统等领域。该芯片支持 ONFI(Open NAND Flash Interface)标准协议,确保与多种主控芯片的兼容性。
容量:8GB
接口类型:ONFI 3.1
工作电压:2.7V 至 3.6V
页大小:16KB
块大小:1MB
最大读取速度:40 MB/s
最大写入速度:20 MB/s
擦除周期:3000 次
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:TSOP
NCEMASD9-08G 提供了高密度的数据存储解决方案,并且具有以下特点:
1. 支持多比特单元(MLC)技术,能够以较低的成本实现大容量存储。
2. 集成了错误纠正码(ECC)功能,有效提升了数据的完整性和可靠性。
3. 内置坏块管理机制,延长了芯片的使用寿命。
4. 具有低功耗设计,非常适合便携式设备使用。
5. 支持多种命令集和配置选项,便于开发者进行灵活定制。
6. 符合 RoHS 标准,环保无毒。
NCEMASD9-08G 广泛应用于各种需要大容量存储的场景,例如:
1. USB 闪存盘和存储卡。
2. 固态硬盘(SSD)。
3. 数字相机和摄像机。
4. 智能电视和机顶盒。
5. 工业自动化设备中的数据记录模块。
6. 医疗设备和汽车电子系统的嵌入式存储解决方案。
其出色的性能和可靠性使其成为众多领域的理想选择。
NCEMASD9-04G, NCEMASD9-16G, Hynix HY27US082A, Toshiba THGAM9U1T8AUA