SQCBEA681GAJWE 是一款基于硅技术的高效能功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制程工艺,能够显著降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体效率。其广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:70nC
开关速度:超高速
工作温度范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-247
SQCBEA681GAJWE 具备卓越的电气性能和热性能,其低导通电阻可有效减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件支持高频率操作,同时保持较低的开关损耗。
这款芯片还具备优异的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。其坚固的设计使其适合工业级及汽车级应用,满足严苛环境下的使用需求。
SQCBEA681GAJWE 适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 电池管理系统(BMS)
- 电信设备中的负载切换
- 工业自动化控制
SQCBEA681GAJXW
SQCBEA682GBJWE
IRF640N