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SQCBEA681GAJWE 发布时间 时间:2025/6/5 23:23:29 查看 阅读:6

SQCBEA681GAJWE 是一款基于硅技术的高效能功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制程工艺,能够显著降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体效率。其广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-247

特性

SQCBEA681GAJWE 具备卓越的电气性能和热性能,其低导通电阻可有效减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件支持高频率操作,同时保持较低的开关损耗。
  这款芯片还具备优异的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。其坚固的设计使其适合工业级及汽车级应用,满足严苛环境下的使用需求。

应用

SQCBEA681GAJWE 适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动电路
  - 电池管理系统(BMS)
  - 电信设备中的负载切换
  - 工业自动化控制

替代型号

SQCBEA681GAJXW
  SQCBEA682GBJWE
  IRF640N

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SQCBEA681GAJWE参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装100
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 电容680pF
  • 电压 - 额定150V
  • 容差±2%
  • 温度系数A
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳1111(2828 公制)
  • 尺寸/尺寸0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.102"(2.59mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装托盘 - 晶粒
  • 引线型-