MTP50N05EL是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
其主要设计目的是为电源管理、电机驱动和负载切换等场景提供高性能的开关解决方案。此外,MTP50N05EL支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和紧凑型电路板设计。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:50A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:48nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
MTP50N05EL具备以下显著特性:
1. 高击穿电压(50V),能够在高压环境中稳定运行。
2. 极低的导通电阻(1.6mΩ),有助于减少功率损耗并提升效率。
3. 快速开关性能,适用于高频应用场景。
4. 支持高温操作(最高可达175℃),适合严苛环境下的使用。
5. 封装结构坚固可靠,具备良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
MTP50N05EL广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换和DC-DC转换。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED照明驱动器中的功率开关元件。
6. 电池管理系统中的保护电路。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L