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MTP50N05EL 发布时间 时间:2025/5/27 19:00:30 查看 阅读:13

MTP50N05EL是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  其主要设计目的是为电源管理、电机驱动和负载切换等场景提供高性能的开关解决方案。此外,MTP50N05EL支持表面贴装技术(SMD),便于自动化生产和紧凑型电路板设计。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

MTP50N05EL具备以下显著特性:
  1. 高击穿电压(50V),能够在高压环境中稳定运行。
  2. 极低的导通电阻(1.6mΩ),有助于减少功率损耗并提升效率。
  3. 快速开关性能,适用于高频应用场景。
  4. 支持高温操作(最高可达175℃),适合严苛环境下的使用。
  5. 封装结构坚固可靠,具备良好的散热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

MTP50N05EL广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统中的负载切换和DC-DC转换。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. LED照明驱动器中的功率开关元件。
  6. 电池管理系统中的保护电路。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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