MTP50N05EL 时间：2025/5/27 19:00:30 阅读：17

MTP50N05EL是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
　　其主要设计目的是为电源管理、电机驱动和负载切换等场景提供高性能的开关解决方案。此外，MTP50N05EL支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和紧凑型电路板设计。

参数

最大漏源电压：50V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：1.6mΩ
　　栅极电荷：48nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

MTP50N05EL具备以下显著特性：
　　1. 高击穿电压（50V），能够在高压环境中稳定运行。
　　2. 极低的导通电阻（1.6mΩ），有助于减少功率损耗并提升效率。
　　3. 快速开关性能，适用于高频应用场景。
　　4. 支持高温操作（最高可达175℃），适合严苛环境下的使用。
　　5. 封装结构坚固可靠，具备良好的散热性能。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

MTP50N05EL广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 汽车电子系统中的负载切换和DC-DC转换。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. LED照明驱动器中的功率开关元件。
　　6. 电池管理系统中的保护电路。