时间：2025/9/13 23:51:03
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BUK7E2R3-40E 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。BUK7E2R3-40E 封装为D2PAK，适用于表面贴装，便于散热设计和自动化生产。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK
BUK7E2R3-40E 采用NXP先进的TrenchMOS技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和高效的开关性能，显著降低导通损耗和开关损耗。该器件的高电流承载能力使其能够应对高功率需求的应用，同时具备出色的热稳定性，确保在高负载条件下稳定运行。此外，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，提高了系统在异常条件下的可靠性。栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的10V和12V驱动电路，简化了驱动电路设计。其D2PAK封装支持高效的散热管理，便于在高功率密度环境中使用。
BUK7E2R3-40E 主要用于高性能电源系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、负载开关和功率因数校正（PFC）电路。该器件也广泛应用于服务器电源、电信设备、工业自动化设备和高功率LED照明系统等需要高效能功率转换的场合。由于其高可靠性和优异的热性能，它也适用于汽车电子系统中的高功率负载控制。
IRF1405, BSC090N04LS G, FDS4410
