时间：2025/8/20 16:21:22
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W631GU6MB11J 是一款由 Winbond（华邦电子）生产的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高速、低功耗的移动DRAM产品系列，专为便携式和高性能计算设备设计。该型号采用先进的制造工艺，提供高容量和卓越的性能，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统和其他对功耗敏感的应用场景。
容量：64M x 16
电压：1.5V / 1.35V
封装类型：FBGA
引脚数：112
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据速率：800Mbps / 1066Mbps / 1600Mbps（依据具体时钟频率）
接口类型：JEDEC兼容的移动DDR3L接口
刷新周期：64ms
W631GU6MB11J 具备多项先进特性，包括低电压运行以降低功耗，适用于移动设备的节能需求。其支持多种工作模式，包括自刷新、深度掉电模式和温度补偿自刷新（TCSR），以优化不同应用场景下的功耗表现。此外，该器件采用小型FBGA封装，节省空间，适合高密度主板设计。内置的ZQ校准功能可确保输出驱动强度的稳定性，提高信号完整性。其支持的多段Burst访问模式和自动预充电功能也提升了数据访问效率。
该芯片还具备良好的热稳定性与抗干扰能力，在宽温范围内（-40°C 至 +85°C）均可稳定运行，确保在复杂环境下的可靠性。同时，它兼容JEDEC标准，便于系统集成和兼容性设计。
W631GU6MB11J 主要用于高性能便携设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及嵌入式系统。此外，它也适用于需要高速缓存和低功耗内存的工业控制设备、汽车电子系统以及网络通信设备。该芯片的高可靠性和节能特性使其成为电池供电设备的理想选择。
W631GU6FB11G, W631GU6MB11G, W631GU6SB11G
