PSMN016-100YS 时间：2025/9/15 2:24:39 阅读：14

PSMN016-100YS是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的小信号产品部门）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等场景。该MOSFET采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：160A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.6mΩ（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.1mΩ（最大）
　　功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：LFPAK56（Power-SO8）

特性

PSMN016-100YS的主要特性之一是其极低的导通电阻，在10V栅极电压下最大仅为1.6mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的连续漏极电流能力（160A），适合高功率密度应用。
　　该MOSFET采用LFPAK56封装，这种封装形式具有优良的热传导性能，可有效降低热阻，并支持表面贴装（SMT）工艺，提升生产效率和可靠性。同时，LFPAK56封装还具备优异的机械稳定性和抗潮湿能力，适用于严苛环境条件。
　　PSMN016-100YS的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V的栅极驱动，适用于多种栅极驱动器设计，包括低压控制器直接驱动。该器件的雪崩能量承受能力较强，具备良好的耐用性和稳定性。
　　此外，PSMN016-100YS符合RoHS环保标准，无卤素，适用于绿色电子产品的设计需求。

应用

PSMN016-100YS广泛应用于需要高效率和高功率处理能力的电力电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC降压/升压转换器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动汽车充电系统、电机驱动器和负载开关电路。
　　在DC-DC转换器中，PSMN016-100YS可作为高边或低边开关使用，其低Rds(on)和高电流能力可显著提升转换效率，减少散热需求。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，提供快速开关和低损耗性能。
　　由于其优异的热性能和紧凑的封装尺寸，PSMN016-100YS也非常适合空间受限但对功率要求较高的便携式设备和车载电子系统。此外，在电机控制和工业自动化系统中，该MOSFET可用于实现高效、可靠的功率切换。