容量：8 Mbit
　　组织结构：1M x 8
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：90 ns
　　工作电流：典型值 30 mA（读取模式）
　　待机电流：典型值 100 μA
　　封装形式：TSOP-32, PLCC-32, DIP-32
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、整片擦除
　　编程方式：字节编程
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）、工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容

AM29F010B-90具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有显著优势。首先，该芯片支持在线系统编程（ISP），用户可以通过微控制器发送特定的命令序列实现对芯片的编程与擦除操作，无需将芯片从电路板上取下，极大地提高了系统维护效率和现场升级能力。其次，其内部集成了电荷泵电路，能够在仅需单一5V电源的情况下完成编程和擦除所需的高压生成，简化了外部电源设计，降低了系统复杂度。第三，AM29F010B-90提供灵活的擦除模式，包括按扇区（每64KB一个扇区，共16个）擦除和整片擦除，使用户可以根据实际需求选择最合适的操作方式，从而延长器件寿命并提高数据管理效率。第四，该器件具备硬件数据保护机制，在上电和掉电过程中自动进入只读状态，防止因电源不稳定导致误写或误擦除。此外，芯片支持软件数据保护功能，可通过命令序列启用或禁用写操作，进一步增强数据安全性。第五，AM29F010B-90具有高度的JEDEC标准兼容性，确保与其他厂商类似产品的互换性和系统设计的通用性。其命令集遵循Common Flash Interface (CFI)规范，便于主机系统识别器件参数并进行配置。第六，该芯片具备良好的温度适应性，提供商业级和工业级两种版本，满足不同应用场景下的环境要求。最后，AM29F010B-90采用CMOS工艺制造，具备较低的功耗表现，尤其在待机模式下电流极小，有助于降低整体系统能耗。这些综合特性使得AM29F010B-90成为当时广泛应用的Flash存储解决方案之一。
　　值得注意的是，虽然该芯片性能稳定，但由于其基于较早的技术平台，不具备现代低电压（如3.3V或更低）、高速串行接口（如SPI QPI）或WSON等小型化封装的优势，因此在新设计中已被更新型产品逐步取代。然而，对于现有系统的替换、维修或兼容性延续，AM29F010B-90仍然具有不可替代的价值。

AM29F010B-90广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的电子系统中。在嵌入式控制系统中，常用于存储启动代码（Bootloader）、固件程序和配置参数，例如在工控PLC、HMI人机界面设备中作为主程序存储器。在通信设备领域，该芯片可用于路由器、交换机、调制解调器等设备中保存操作系统镜像和网络配置信息，支持远程固件升级功能。在消费类电子产品中，如老式电视机、机顶盒、DVD播放器等，AM29F010B-90被用来存储设备初始化设置和用户偏好数据。此外，在汽车电子系统中，尽管当前主流已转向更可靠的汽车级器件，但部分早期车型的ECU（电子控制单元）也曾采用此类Flash存储关键标定数据和诊断信息。工业仪表与医疗设备中也常见其身影，用于记录校准数据、运行日志和设备身份信息，确保断电后数据不丢失。由于其具备较高的抗干扰能力和长期数据保持特性，适合部署在电磁环境复杂或维护不便的场合。另外，在军事与航空电子设备的某些子系统中，AM29F010B-90因其成熟可靠而被用于备份存储或配置存储。同时，该芯片也是许多开发板和教学实验平台上的常用元件，帮助工程师和学生理解并行Flash的操作机制与底层驱动编写方法。随着技术进步，虽然越来越多的新设计转向SPI NOR Flash或其他新型存储器，但AM29F010B-90在设备维修、备件替换和系统延寿项目中依然发挥着重要作用。

SST39SF010A-70-4C-PHE-T
　　MX29F010BCJC-12
　　EON EN29F010-12PC
　　PMC Pm29LV010B-90CE