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STP80N05-09 发布时间 时间:2025/7/22 15:56:04 查看 阅读:4

STP80N05-09是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流、低导通电阻和快速开关应用而设计,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和汽车电子系统。STP80N05-09采用了先进的技术,能够在高频率下提供优异的效率和稳定性,同时具备较低的导通损耗和开关损耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):50V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):80A
  导通电阻(RDS(on)):9mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STP80N05-09具有多项优异的电气特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))仅为9mΩ,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,STP80N05-09的高电流能力(80A)使其适用于需要大功率输出的应用,如电机驱动和电源转换器。
  其次,STP80N05-09具备良好的热稳定性,能够在高达175°C的温度下稳定工作,适合在高温环境中使用。其高栅极电压耐受能力(±20V)提供了更大的设计灵活性,同时减少了栅极驱动电路的复杂性。
  此外,该MOSFET具有快速开关特性,能够实现高效的高频操作,减少开关损耗并提高系统响应速度。这种特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源等高频应用。
  STP80N05-09的封装形式包括TO-220和D2PAK,便于在各种电路板布局中安装,并提供良好的散热性能。这些封装形式也确保了器件在高功率运行时的可靠性和稳定性。

应用

STP80N05-09广泛应用于多个领域,包括工业自动化、电源管理系统、电机控制、电动汽车充电设备、DC-DC转换器、同步整流器以及开关电源(SMPS)等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源设计中的理想选择,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
  此外,STP80N05-09在汽车电子系统中也具有广泛的应用,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等。其高温耐受能力和高稳定性使其在严苛的汽车环境中表现出色。

替代型号

IPB80N04S4-03, IRF1404, FDP80N05S, STP80NF05

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