容量：512K位
　　组织结构：64K x 8位
　　访问时间：70ns
　　工作电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　最大工作频率：143MHz
　　输入/输出电平：TTL兼容

CXK58257BM-70LLB 是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，专为高速数据存取需求而设计。其核心特性之一是低功耗CMOS技术，使其在保持高性能的同时，显著降低功耗。该芯片的访问时间为70ns，使其适用于需要快速响应的实时系统。
　　此外，CXK58257BM-70LLB 具有较高的抗干扰能力，能够在恶劣的工业环境中稳定运行。它支持TTL电平输入/输出，简化了与微控制器和外围设备的接口设计。该器件的工作电压为5V，符合大多数嵌入式系统的电源标准，确保与现有系统的兼容性。
　　该SRAM芯片采用了54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸，适合空间受限的应用场合。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件，确保在极端温度下仍能可靠运行。
　　该芯片还支持异步操作模式，允许灵活的时序控制，适应不同的系统设计需求。其数据保持功能在电源关闭时仍能保留数据，适用于需要非易失性存储的应用场景。

CXK58257BM-70LLB 主要应用于需要高速数据存取和高可靠性的嵌入式系统，如工业控制系统、通信设备、网络路由器和交换机、测试仪器以及医疗设备。此外，该芯片也适用于需要缓冲存储和临时数据存储的应用，如图像处理、音频处理和传感器数据采集。

CY62148EVLL-70ZE
　　 CY62157EVLL-70ZE
　　 CY7C1041CVLL-70ZE
　　 IS61LV25616ALBLL-70B