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W29N01GVDIAA 发布时间 时间:2025/8/21 8:15:34 查看 阅读:11

W29N01GVDIAA 是 Winbond(华邦电子)生产的一款 NAND Flash 存储器芯片,容量为1Gb(128MB),采用x8 I/O架构,适用于需要大容量存储和高性能数据存储的应用场景。该芯片具有高可靠性和低功耗特性,广泛用于工业控制、消费电子、车载系统和嵌入式设备。

参数

容量:1Gb (128MB)
  电压:2.3V - 3.6V
  接口:x8 I/O
  封装:TSOP 52-pin
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  读取时间:最大 50ns
  编程时间:约 200μs/页
  擦除时间:约 2ms/块
  页面大小:2KB
  块大小:128KB
  

特性

W29N01GVDIAA 具备出色的性能和稳定性,适用于各种嵌入式存储应用。其主要特性包括:支持页编程和块擦除操作,具备ECC(错误校正码)功能以提高数据可靠性,具备坏块管理功能,确保数据完整性。此外,该芯片具备低功耗设计,适合电池供电设备使用。
  该NAND Flash芯片的读写速度较快,支持高速数据存取,同时具备较强的抗干扰能力,适用于工业级和车载环境。其TSOP封装形式便于焊接和集成,广泛用于各种嵌入式系统中。
  Winbond 为该芯片提供了完善的技术支持和长期供货保障,使其成为工业控制、智能设备和车载电子系统中理想的存储解决方案。

应用

W29N01GVDIAA 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、智能卡、车载导航系统、手持设备、数码相机、语音记录仪、数据采集设备、固件存储模块等需要非易失性大容量存储的场景。

替代型号

K9F1G08U0B, HY27UF082G2A, MT29F1G08ABBDA

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W29N01GVDIAA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-VFBGA
  • 供应商器件封装48-VFBGA(8x6.5)