PMEG60T30ELRX是一款由Nexperia(安世半导体)生产的功率MOSFET,属于Trench MOSFET系列,适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻和优异的热性能,适合在需要高电流和低损耗的应用中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为5.5mΩ(在VGS=10V)
功率耗散(PD):200W
封装形式:LFPAK56(5661)
工作温度范围:-55°C至+175°C
PMEG60T30ELRX具备多项高性能特性,使其在多种电源管理应用中表现出色。首先,该MOSFET采用Nexperia的LFPAK56封装技术,这种封装设计不仅具有出色的热管理能力,还能够提供较高的机械稳定性,使其适用于汽车和工业环境。其次,该器件的导通电阻(RDS(on))非常低,典型值为5.5mΩ,从而降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,PMEG60T30ELRX的最大漏极电流为60A,支持高功率负载的驱动,适合用于DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。该器件的工作温度范围广泛,从-55°C到+175°C,确保了其在极端环境下的稳定性和可靠性。另外,PMEG60T30ELRX的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V之间的栅极驱动电压,这使得其能够与多种栅极驱动电路兼容,包括低电压MCU控制的驱动系统。LFPAK56封装还具备良好的焊接可靠性和优异的电流承载能力,同时支持自动光学检测(AOI),提高了生产过程中的可制造性和可检测性。
从应用角度来看,PMEG60T30ELRX非常适合用于同步整流、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。在汽车电子领域,它可用于车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)以及DC-DC转换器模块。此外,该器件还广泛应用于工业自动化、服务器电源和储能系统,满足高效率、高可靠性、高功率密度的设计需求。综上所述,PMEG60T30ELRX凭借其低导通电阻、高电流能力和优异的热性能,成为一款适用于多种高功率应用的理想MOSFET解决方案。
PMEG60T30ELRX广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:1. 电源管理:适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关等电源转换系统。2. 工业自动化:用于电机控制、工业电源和自动化设备中的高功率开关电路。3. 汽车电子:包括车载充电器(OBC)、电池管理系统(BMS)和DC-DC转换器模块。4. 服务器和通信设备:应用于高效率电源模块,以提高系统能效和可靠性。5. 储能系统:在储能逆变器和电池管理系统中实现高效的功率控制。
PMEG60T30ELR、PMEG60T30EL、PMEG60T30ELE、PMEG60T30EPK