时间：2025/9/2 23:13:00
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JX2N1975 是一款常见的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于开关电源、电机控制和功率放大电路中。该器件采用TO-220封装，具有较高的耐压能力和良好的导通特性。该MOSFET在中等功率应用中表现出色，具备较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大值）
最大功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
JX2N1975 具备多项优良特性，适用于多种功率控制场合。首先，其最大漏源电压为100V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为8A，在适当的散热条件下可以满足较高电流负载的需求。此外，其导通电阻Rds(on)最大为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的栅极保护能力，防止因过高的栅极电压而损坏。同时，其封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适用于各类通用功率电路。
JX2N1975 的最大功耗为60W，具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。工作温度范围从-55°C到+150°C，适应多种恶劣工作环境，广泛应用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。
JX2N1975 常用于各类功率电子设备中，如开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、充电器和负载开关电路。由于其具备良好的导通特性和较高的耐压能力，该MOSFET在工业自动化控制、汽车电子、消费类电源适配器以及电池管理系统中均有广泛应用。此外，其良好的散热性能使其适用于需要持续运行的高可靠性系统。
IRF540, FQP8N10L, 2N6755
