类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：3A
　　导通电阻(RDS(ON))：最大值为80mΩ（在VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN1010
　　功率耗散(PD)：最大值为1.2W
　　输入电容(Ciss)：典型值为28pF
　　上升时间(tr)：典型值为9ns
　　下降时间(tf)：典型值为6ns

LTL2V3EU3KS具有多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻特性可以显著降低开关损耗，提高整体能效。在VGS=4.5V时，RDS(ON)的最大值仅为80mΩ，这使得该器件在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，LTL2V3EU3KS采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的开关性能。其输入电容Ciss的典型值为28pF，而上升时间tr和下降时间tf的典型值分别为9ns和6ns，使其适用于高频开关应用。这种快速开关能力有助于减少开关损耗，并提高系统的响应速度。
　　此外，该器件的最大连续漏极电流ID为3A，漏源电压VDS为20V，栅源电压VGS为±8V，能够在中等功率负载下稳定工作。其紧凑的DFN1010封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理能力，使器件在高负载条件下仍能维持稳定的性能。
　　LTL2V3EU3KS的工作温度范围为-55°C至150°C，具备出色的热稳定性和环境适应能力，适用于各种严苛的工作条件。

LTL2V3EU3KS广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。在电源管理电路中，它可用于高效降压转换器，以提供稳定的电压输出并减少能量损耗。由于其快速开关特性，该器件也非常适合用于高频电源应用，如便携式电子设备的电源管理模块。
　　在负载开关应用中，LTL2V3EU3KS可以有效地控制电源的通断，避免因过载或短路导致的系统损坏。其低导通电阻有助于减少压降，从而提高系统效率。此外，在小型电机驱动器或继电器替代电路中，该MOSFET可以实现更高效的开关控制，同时减少电磁干扰（EMI）。
　　由于其紧凑的DFN1010封装，LTL2V3EU3KS特别适用于空间受限的设计，例如移动设备、穿戴式电子产品和小型传感器模块。

Si2302DS, BSS138K