类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：8Gb（Gigabit）
　　封装形式：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　电压：1.1V / 1.8V（双电源供电）
　　数据速率：3200Mbps
　　工作温度：-40°C ~ +85°C
　　接口：x16
　　封装尺寸：9.3mm x 13.5mm x 0.8mm
　　制造工艺：1x nm
　　内存组织：512M x 16

H5ANAG8NAMR-UHC 是一款面向高性能移动设备设计的LPDDR4 SDRAM芯片，具备高速数据传输能力和出色的能效表现。其3200Mbps的数据速率支持快速处理大量数据，满足现代移动设备对实时图形处理、多任务操作和高清视频播放的需求。
　　该芯片采用了先进的1x纳米级制造工艺，显著降低了功耗并提高了集成度，从而延长设备的电池续航时间。此外，1.1V的主电源电压和1.8V的I/O电压设计使其在不同工作条件下都能保持稳定性能。
　　FBGA封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，确保在高负载运行时仍能维持稳定工作状态。其紧凑的封装尺寸（9.3mm x 13.5mm x 0.8mm）适合空间受限的移动设备设计。
　　工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行，确保设备在高温或低温环境下的可靠性。
　　整体来看，H5ANAG8NAMR-UHC 是一款适用于高性能移动平台的理想内存解决方案，兼具高速、低功耗、小尺寸和高可靠性等优势。

H5ANAG8NAMR-UHC 主要应用于高性能移动设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机等。此外，该芯片也适用于需要高带宽内存的嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及高端消费类电子产品。

H5ANAG8NAMR-UMC, H5ANAG8ND2R-UHC, H5ANAG8NAMR-BCTC, H5ANAG8NAMR-VKC