时间：2025/8/8 19:56:28
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2SK3364是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频率和高效率的功率开关应用。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等场景。2SK3364采用SOT-23小外形封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA（最大）
导通电阻（Rds(on)）：约3Ω（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
2SK3364是一款专为高频率开关应用设计的N沟道MOSFET，具有优异的导通性能和快速响应能力。其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗最小，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的栅极绝缘耐压能力，支持在较宽的输入电压范围内稳定工作。2SK3364的SOT-23封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适用于便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理电路。
该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频DC-DC转换器、LED驱动器和低功率电机控制应用。其栅极驱动电压范围宽，兼容多种控制IC的输出信号，便于系统集成。此外，2SK3364的热稳定性好，能在高温环境下保持稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。
2SK3364主要应用于低功率开关电路、DC-DC转换器、LED驱动电路、电源管理系统、便携式设备的电池保护模块以及微型电机控制电路。此外，它也可用于音频放大器中的电源开关、继电器替代和负载切换等场合。
2SK3018, 2SK2996, 2SK3399
