W13NB60 时间：2025/7/23 15:01:20 阅读：7

W13NB60 是一款由 WeEn（瑞能半导体）推出的高耐压、高效率的功率MOSFET晶体管，采用先进的高压沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛用于开关电源、适配器、LED驱动器、电池充电器等高频率电源转换应用中。W13NB60 的最大漏源电压（VDS）为600V，最大连续漏极电流（ID）为13A，在高功率密度设计中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：600V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：13A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：52A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.45Ω
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

特性

W13NB60 采用先进的沟槽式功率MOSFET工艺，具备出色的导通和开关性能。其导通电阻（RDS(on)）仅为0.45Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。同时，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，能够在高电压应力下稳定工作。此外，W13NB60 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体电源转换效率。
　　在可靠性方面，W13NB60 设计有良好的热稳定性和短路保护能力，适用于要求高可靠性的工业电源和消费类电子产品。其工作温度范围宽达-55℃至150℃，可在各种恶劣环境下稳定运行。W13NB60 还具备良好的抗静电能力，确保在生产、运输和使用过程中不易受到静电损坏。
　　封装方面，W13NB60 提供多种选择，包括 TO-220 和 TO-263（D2PAK），便于根据不同的应用需求进行安装和散热设计。TO-220 适用于插件式电源设计，而 TO-263 则适合表面贴装工艺，提升自动化生产的效率。