时间：2025/5/20 19:05:45
阅读：10
IPB100N10S3-05 是一款基于沟槽栅极场效应晶体管 (Trench MOSFET) 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高效率和高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为 TO-263 (DPAK)，适合表面贴装工艺，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载切换等场景。
IPB100N10S3-05 的额定电压为 100V，能够处理高达 10A 的连续漏极电流，并且具备出色的热性能和可靠性，适用于需要紧凑型解决方案的应用场合。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（典型值）：4.8nC
输入电容（典型值）：1280pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (DPAK)
IPB100N10S3-05 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，降低开关损耗，适合高频应用。
3. 小型化的 DPAK 封装，便于实现高密度电路布局。
4. 出色的热稳定性，确保在极端环境条件下正常运行。
5. 内置 ESD 保护功能，增强器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
这些特性使 IPB100N10S3-05 成为高性能功率转换和电机控制应用的理想选择。
IPB100N10S3-05 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. LED 照明驱动电路，用于高效能调光调色控制。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制与保护。
6. 通信设备及消费类电子产品中的功率管理模块。
凭借其优异的性能指标和可靠性的保障，IPB100N10S3-05 在上述应用场景中表现出色。
IPW100N10S3L-05, IRFZ44N, FDP177N10SBD
