C784DB 时间：2025/8/7 7:00:17 阅读：13

C784DB是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率双极型晶体管（BJT）阵列器件，主要用于需要高电流和高电压能力的功率控制应用。该器件内部集成了两个NPN晶体管，通常用于需要并联操作或需要高电流增益的场合。C784DB具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、电机驱动、电源转换等场景。

参数

类型：NPN双晶体管阵列
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100V
　　最大集电极电流（Ic）：连续5A，脉冲10A
　　最大功耗（Ptot）：75W
　　电流增益（hFE）：在Ic=2A, Vce=5V时，典型值为1000
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

C784DB的主要特性包括高电流承载能力和高电压耐受性。该器件采用双NPN晶体管结构，允许用户将两个晶体管并联使用以提高整体的电流处理能力。这种设计特别适用于需要大电流输出的应用，例如电机驱动和电源调节模块。此外，C784DB具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性。
　　C784DB的高电流增益特性使其在低输入信号下也能驱动较大的负载，减少了前级驱动电路的设计复杂度。该器件的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热传导效率。此外，C784DB还具备较高的开关速度和较低的饱和压降，适用于高频开关和快速响应的控制系统。

应用

C784DB广泛应用于需要高电流和高电压控制的功率电子系统中。典型应用包括直流电机驱动、继电器驱动、电源转换器（如DC-DC转换器）、逆变器以及工业自动化控制系统。其双晶体管结构也使其适合用于音频功率放大器和高保真音响设备中，提供稳定的功率输出。
　　在电机控制应用中，C784DB可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转控制。在电源管理领域，该器件可用于稳压电源和开关电源的设计，提高系统的效率和稳定性。此外，C784DB还可用于电池充电器、不间断电源（UPS）和照明控制系统等应用。